第(2/3)页

    这个生产线还不是全自动化的，依然有人在里面做一些必须的工作，人人都小心翼翼，手里端的可都是希望。

    整整72小时，第一批的16k存储器晶圆出炉了，经过切割检测，一个大致的成品率数据被估算出来了。

    “百分之七十八，嗯。”虞博士嘴里念叨着，脸上不动声色。

    长久也不知道这个数据是好是坏，只好问道：“虞叔怎么样，能不能成啊。”

    虞博士笑道：“还行，等我们的工艺参数微调之后相信会更好。”

    “那就是成功了！”长久拿着一块成品晶圆兴奋的大叫，“万岁！”

    这是一颗16Kbit的mos管动态存储器，是基于单晶体管存储单元的结构，使用了两层多晶薄膜分开三层电路结构，就好像电路板分层一样。

    两层多晶结构可以使整个的集成电路可以有更好的布线效率，就相当于一块电路板双层的可以比单层的面积缩小一半。

    这是存储器制造工艺的一个革命性的改进，是虞博士亲自开发的。美国人早在1975年就实现了这个工艺，而华夏在这个年代还没有这样的技术，这次成功也算是一个小小的突破吧。

    为了制造出两层多晶膜，这颗动态存储器使用了7层掩膜（MASK）。所谓掩膜，就是一张刻有图形的透光板而已。

    我们都会用硬纸板写字或画上图案，然后按着图形掏空，拿喷漆一喷就是一个字或图案出来了。集成电路也是一样，只不过光代替了喷漆，而掩膜板代替了硬纸板而已。

    集成电路生产线使用的掩膜板大多是石英玻璃，表面喷涂了金属铬，用照相技术或者电子束在其上进行感光，之后酸一洗就是一个带着图案的掩膜版。

    长久他们的工厂设备分辨率只能达到1~到3微米，只能进行分步投影，接近正常的图形,七层掩膜就是做这个用的。

    三英寸的硅晶圆，五微米的生产技术，整个16k动态存储器的芯片面积（die）大概19平方毫米，十分之小巧玲珑。

    16k的存储器早就是过时的产品，五微米技术也远不是这个工厂的极限，只是这都是虞博士的考虑。

    生产线刚刚运转，各种工艺条件需要磨合，人员素养也要提高，为了保险起见只能拿这个东西练手，

    还好没出什么大的纰漏，一切同虞博士的预想一样。

    “长久，可以召开发布会了。”虞博士长出一口气，“目前看来运转良好，下一步就可以使用2微米技术试产021改进型了。”
    第(2/3)页